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网页2021年3月26日 HTCVD 法原料是气体，直接在籽晶表面发生化学反应生成晶体，能够有效通过气体的流量来控制生长过程的硅 / 碳比例，降低因偏离剂量比所造成的晶体缺陷，同时也能够有效控制掺杂量、晶型等，制备的 n 型或 p 型碳化硅晶体缺陷较少。
网页2021年3月17日 目前制备 SiC 单晶的方法有籽晶升华法、高温化学气相沉积法（HTCVD）和 液相法（LPE）。 ... 物质，在温度梯度的驱动下，这些气相物质将被输运到温度较低的碳化硅籽 晶上形成 4H 型碳化硅晶体。
网页2020年11月17日 对于三种碳化硅制备方法的浅析. 目前碳化硅单晶的制备方法主要有：物理气相传输法（PVT）；顶部籽晶溶液生长法（TSSG）；高温化学气相沉积法（HT-CVD）。. 其中TSSG法生长晶体尺寸较小目前仅用于实验室生长，商业化的技术路线主要是PVT和HT-CVD，与HT-CVD法相比 ...
网页2014年8月4日 高温化学气相沉积技术是一种新型的制备SiC体的方法，国外已经有多年的研究。. 国外对外公布使用高温化学气相沉积技术（HTCVD）生长碳化硅晶体的有瑞典的Okmetic司，该公司在20世纪90年代开始研究此技术，并且在欧洲已经申请了该技术的专利。.
网页2020年11月20日 目前碳化硅单晶的制备方法主要有：物理气相传输法（PVT）；顶部籽晶溶液生长法（TSSG）；高温化学气相沉积法（HT-CVD）。其中TSSG法生长晶体尺寸较小目前仅用于实验室生长，商业化的技术路线主要是PVT和HT-CVD，与HT-CVD法相比，采用 ...
网页2013年7月12日 高温化学气相沉积法生长碳化硅晶体（HTCVD）SCI-TECHINFORMATIONDEVELOPMENTECONOMY2009年第19 ... (HTCVDo而目前国内晶体制备的方法主要是物司,该公司在2O世纪9o年代开始研究此技术.并且在欧洲已经晶,并可有效地减少SiC单晶体巾的各种 ...
网页2010年9月9日 高温化学气相沉积技术是一种新型的制备Si体的方法，国外已经有多年的研究。. 国外对外公布使用高温化学气相沉积技术（HTV）生长碳化硅晶体的有瑞典的Okmetic司，该公司在20世纪90年代开始研究此技术，并且在欧洲已经申请了该技术的专利。. 该方法可
网页2022年11月16日 据 Yole 称，包括 MOCVD、HTCVD 和 MBE 在内的外延设备市场将以 8% 的复合年增长率 (CAGR) 增长，从 2020 年的 6.92 亿美元增长到 2026 年的 11 亿美元。. 更具体地说，MOCVD、在 2020 年收入中占设备市场份额的 60% 以上，在预测期内将以 7% 的复合年增长率增长，到 2026 年达到 ...
网页2023年4月23日 SiC碳化硅单晶的生长原理. 叶子落了. 碳化硅单晶衬底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下简称SiC衬底）也是晶体材料的一种，属于宽禁带半导体材料，具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势，是制备大功率电力电子器件以及微波射频器件的 ...
网页2023年4月22日 1.本发明涉及晶体材料制备领域，具体涉及一种新型碳化硅晶体的生长方法及制备装置。背景技术： 2.碳化硅单晶材料作为第三代半导体的重要代表之一，做成器件后具有耐高温、耐高压、耐高辐射、电流密度大、能耗低等突出有点，在电动车、充电桩、动车、大型船舶、航空航天等多个领域有突出 ...
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